최근의 chip 디자인은 multi-metal layer, flip chip, CSP, LOC 로 대표된다. Emission Microscope에서 이 칩들의 backside를 검사하는 것은 점점 중요시 되고있다. 또한, chip의 고집적화로 인해 High S/N 이미지를 더 선명하게 볼 수 있어야 한다.
최신 기종의 PHEMOS-2000에서는, 디바이스의 저전압 구동화에 따른 불량 위치로부터의 발광량 감소에 의한 장시간 검출의 필요성에 대응하기 위해서 광학계 구조를 재 설계하고, 위치 정밀도와 안정성을 향상시켰습니다.
반도체 Device의 고장개소의 검출 및 해석용으로 설계된 발열 화상 장치로, Joule effect에 의해 발생되는 발열 위치를 검출한다. 주로 반도체 Device의 Metal관련 불량을 검출하는데 이용된다.
μ-AMOS는, IR-OBIRCH분석기법을 이용하여 반도체 Device의 Leak전류 경로나 컨택트부의 저항이상 장소등을 특정하는 불량 분석 장치입니다
Tri-Phemos는, CMOS 트랜지스터의 동작 시에 발생하는 미약한 빛을 근적외선 2차원 검출기로 고감도로 검출해, LSI 내부의 동작 타이밍을 Pico정밀도로 해석하는 장치입니다.
IC 이면 연마기는 당사의 PHEMOS시리즈와 발열화상 해석장치 THEMOS 시리즈의 Backside 관찰 샘플을 만들기 위한 전용 장치입니다. 소형 데스크톱 타입의 Windows 95,98 OS상에서 동작하는 소프트웨어에 의해 전문적인 프로그래 밍 지식을 필요로 하지 않고 용이하게 이면 관찰 샘플의 연마를 합니다.
C9597 System은 근적외선을 이용하여 실리콘 Wafer나 팁, MEMS, CSP등의 반도체 디바이스의 내부를 관찰하는 시스템입니다
근 적외선 Beam을 이용하여 유리, 필름, IC Card, Patterned wafer등 각종 시료의 두께를 계측하는 장치 입니다.
적외선 Beam을 이용하여 접합된 Wafer 내부의 Void 검사 및 Scratches, Internal defect를 Real time으로 관찰, 한번에 Wafer 전면을 측정하여 Monitor 화면에서 확인 및 판정을 할 수 있는 시스템입니다
반도체 제조 공정 중에서 플라스마를 사용하는 에칭, 스팩터, CVD등에 대해, 200 nm? 950 nm의 광대역에서 각종 래디칼이나 이온으로부터의 발광을 리얼타임에 모니터 하는 장치입니다
